PN–перехід створюється в окремому кристалі напівпровідника шляхом легування однієї сторони кристала атомами домішки акцепторної, створюючи його як P-тип, а також легування протилежної сторони атомами донорної домішки, створюючи його як N-тип. Область, де сходяться P-тип та N-тип, називається PN–переходом.04-Feb-2021

P-N перехід: детально простою мовою P-N перехід – точка в напівпровідниковому приладі, де матеріал N-типу та матеріал P-типу стикаються один з одним. Матеріал N-типу зазвичай згадується як катодна частина напівпровідника, а матеріал P-типу як анодна частина.

p-n-Перехід, включений у прямому напрямку пропускає електричний струм, а включений у зворотному напрямку – не пропускає. P-N-перехід при зворотній напрузі Uобр аналогічний конденсатору зі значним струмом витоку в діелектриці.

Контакт на межі двох сусідніх областей напівпровідників, одна з яких має електропровідність p-типу, а інша – електропровідність n-типу, називається електронно-дірочним переходом (P-N–переходом).